光模塊高低溫試驗(yàn)箱之溫度存儲(chǔ)失效項(xiàng)目介紹

高低溫試驗(yàn)箱的目的是為了確定產(chǎn)品在溫度條件下貯存后或使用時(shí)能夠保持正常工作的能力。據(jù)統(tǒng)計(jì)，由于溫度引起的失效幾乎達(dá)到了失效總數(shù)的40%。因此就光模塊可靠性實(shí)驗(yàn)中的各種溫度失效項(xiàng)目進(jìn)行介紹。

高溫存儲(chǔ)

不管是材料級(jí)還是產(chǎn)品級(jí)，在高溫環(huán)境中可能會(huì)有物理特性的變化，因此選擇高低溫試驗(yàn)箱時(shí)需要考慮驗(yàn)證目的。

下列就高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)對(duì)光模塊的一些影響進(jìn)行說明：

——外觀尺寸變化；

——不同材料的溫度系數(shù)不同引起：解鎖裝置失效，氣密性變差、散熱傳導(dǎo)性變差、EMC屏蔽特性變化等；

——化學(xué)合成材料變化：氣氛揮發(fā)、組成滲漏、褪色、裂解、粉末化等。

低溫存儲(chǔ)

低溫相對(duì)于高溫影響是類似的，也會(huì)對(duì)材料或產(chǎn)品的物理特性有改變，下面就低溫存儲(chǔ)

對(duì)于光模塊的一些影響進(jìn)行說明：

——外觀尺寸變化；

——不同材料的溫度系數(shù)不同引起：解鎖裝置失效，氣密性變差、散熱傳導(dǎo)性變差、EMC屏蔽特性變化等；

——化學(xué)合成材料變化：水汽冷凝、加速玻璃件自裂；

——材料強(qiáng)度變化：裂解、粉末化、硬/脆化。

三、溫變存儲(chǔ)

溫變存儲(chǔ)根據(jù)溫度變化的不同，可用于模擬使用現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境對(duì)產(chǎn)品的影響，可用于對(duì)產(chǎn)品

設(shè)計(jì)及工藝的考核。當(dāng)溫度變化達(dá)到一定速率，甚至不屬于是溫度試驗(yàn)范疇。溫變?cè)囼?yàn)對(duì)于材料和產(chǎn)品不僅會(huì)有物理特性的影響，也會(huì)催化或促進(jìn)一些化學(xué)變化，對(duì)于光模塊最主要的可以加速純高溫或低溫試驗(yàn)的試驗(yàn)?zāi)康摹?/p>

——高、低溫特性；

——應(yīng)力釋放引起變形、斷裂；

——絕緣特性降低；

——化學(xué)材料分解或特性消失；

四、溫度+電

當(dāng)溫度與電結(jié)合后，又會(huì)出現(xiàn)一些新的變化：

——元器件特性變化，影響電路特性；

——產(chǎn)品壽命變化；

——短路。